Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いた SiC-MOSFET の作製と評価
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概要
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- 2011-06-27
著者
-
日野 史郎
東京工業大学精密工学研究所
-
三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
-
今泉 昌之
三菱電機先端技術総合研究所
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徳光 永輔
東京工業大学
-
山田 泰之
東京工業大学精密工学研究所
-
石黒 暁夫
東京工業大学精密工学研究所
-
日野 史郎
三菱電機先端技術総合研究所
-
炭谷 博昭
三菱電機先端技術総合研究所
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