日野 史郎 | 東京工業大学精密工学研究所

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概要

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関連著者

• 日野 史郎

  東京工業大学精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター

• 徳光 永輔

  東京工業大学

• 三浦 成久

  三菱電機先端技術総合研究所

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 舟窪 浩

  東京工業大学総合理工学科学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学 精密工学研究所

• 今泉 昌之

  三菱電機先端技術総合研究所

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 中山 誠

  東京工業大学精密工学研究所

• 高橋 健治

  東京工業大学総合理工学研究科

• 山田 泰之

  東京工業大学精密工学研究所

• 石黒 暁夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 日野 史郎

  三菱電機先端技術総合研究所

• 炭谷 博昭

  三菱電機先端技術総合研究所

• 舟窪 浩

  東京工大 工

• 大森 達夫

  三菱電機先端技術総合研究所

• 畑山 智裕

  東京工業大学精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東北大学電気通信研究所

• 山田 泰之

  東京工業大学大学院理工学研究科機械宇宙システム専攻

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著作論文

• MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
• Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いた SiC-MOSFET の作製と評価

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