徳光 永輔 | 東京工業大学 精密工学研究所

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概要

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関連著者

• 徳光 永輔

  東京工業大学 精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター

• 石原 宏

  東京工業大学

• 石原 宏

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 尹 聖民

  フロンティア創造共同研究センター

• 妹尾 賢

  東京工業大学

• 妹尾 賢

  東京工業大学精密工学研究所

• 宮迫 毅明

  東京工業大学

• 宮迫 毅明

  東京工業大学精密工学研究所

• 藤崎 芳久

  日立製作所中央研究所

• 尹 聖民

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• Lee Gwang-Geun

  東京工業大学精密工学研究所

• Yoon Sung-Min

  Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI)

• Yoon Joo-Won

  東京工業大学総合理工学研究科

• 今田 将吾

  東京工業大学精密工学研究所

• 今田 将吾

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 舟窪 浩

  東京工業大学総合理工学科学研究所

• 柴田 宏

  東京工業大学精密工学研究所

• 川口 直一

  東京工業大学精密工学研究所

• 永田 康成

  東京工業大学 精密工学研究所

• 呉 貞姫

  東京工業大学 精密工学研究所

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 大岩 朝洋

  東京工業大学精密工学研究所

• 川口 直一

  東京工業大学 精密工学研究所

• 日野 史郎

  東京工業大学精密工学研究所

• Yoon Sung-min

  Etri

• 正力 重仁

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 正力 重仁

  東京工業大学精密工学研究所

• 神保 武人

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 佐野 春行

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 瀋 悦

  東京工業大学 大学院 理工学研究科 電気甲子工学専攻

• 斎木 博和

  東京工業大学精密工学研究所

• 青木 智治

  東京工業大学精密工学研究所

• 岡本 浩次郎

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 天野 敦弘

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 藤井 厳

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 瀋 悦

  東京工業大学精密工学研究所

• 瀋 悦

  東京工業大学

• 大島 享介

  ソニー株式会社

• 大島 享介

  東京工業大学 精密工学研究所

• 大森 達夫

  三菱電機先端技術総合研究所

• 畑山 智裕

  東京工業大学精密工学研究所

• 三浦 成久

  三菱電機先端技術総合研究所

• 近藤 洋平

  東京工業大学精密工学研究所

• 中山 誠

  東京工業大学精密工学研究所

• 高橋 健治

  東京工業大学総合理工学研究科

• 鈴木 卓哉

  東京工業大学 精密工学研究所

• 朴 成一

  東京工業大学精密工学研究所

• 藤村 朋史

  東京工業大学

• 岡田 伸一郎

  東京工業大学 精密工学研究所

• 磯辺 武揚

  東京工業大学精密工学研究所

• 木島 健

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 大曲 隆文

  東京工業大学 精密工学研究所

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著作論文

• ゾルゲル法によるZrO_2、SrZrO_3薄膜の作製と評価
• MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
• 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
• C-11-4 強誘電体を制御キャパシタに用いたニューロンMOSインバータ
• 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
• MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
• 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価(不揮発メモリと関連技術及び一般)
• C-10-4 酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタにおけるメモリ特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
• プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
• プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
• 強誘電体(Bi,La)_4Ti_3O_12薄膜と高容量バッファ層を用いたMFMIS構造の作製と評価
• ITOチャネルを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
• C-11-5 強誘電体ゲート絶縁膜によるITOチャネル薄膜トランジスタの大電荷制御(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
• ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• ゾルゲル法により形成したBi_La_XTi_3O_(BLT)薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御(新型不揮発性メモリー)
• 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
• C-11-7 減圧仮焼成を用いたゾルゲル法による PZT 薄膜の作製と評価
• ITOチャネル強誘電体ゲートFETの特性改善
• C-11-2 Sr_Bi_Ta_2O_9,Sr_Sm_Bi_Ta_2O_9を用いたMFMIS構造FETの評価(C-11.シリコン材料・デバイス)
• C-11-1 ゾルゲル法により形成したSr_Sm_Bi_Ta_2O_9(SSBT)薄膜の酸素流量依存性(C-11.シリコン材料・デバイス)
• ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
• SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
• SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
• MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
• MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価

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