MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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SiC-パワーMOSFETの実用化には絶縁膜/SiC界面の特性を改善する必要がある。本研究では通常の熱酸化法でSiO_2/SiC界面に形成される界面遷移層を抑制することを目的として、HfO_2またはAl_2O_3を有機金属原料とH_2Oを前駆体とした交互供給MOCVD法によりSiC上に低温堆積させ、その界面特性を電気的特性とXPS測定により評価した。最も堆積温度の低い190℃で得たHfO_2/SiC,Al_2O_3/SiCは通常の熱酸化法で得られるSiO_2/SiCに対して1/3以下の界面準位密度を示した。また、それよりも高い形成温度で得たHfO_2/SiCの界面からは、サブオキサイド成分が増大し、界面準位が増大したことから、SiC基板の酸化を抑制するためには低温堆積が有利であることが明らかになった。
- 2006-06-14
著者
-
日野 史郎
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
大森 達夫
三菱電機先端技術総合研究所
-
畑山 智裕
東京工業大学精密工学研究所
-
三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
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