有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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本稿では有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機のアモルファス酸化物半導体IGZOとを組み合わせて、不揮発注メモリ機能をもつ薄膜トランジスタを試作した結果について述べる。最初に有機強誘電体P(VDF-TrFE)薄膜をPt電極およびITO電極上に形成してキャパシタを作製して強誘電特性を評価したところ、双方の電極上でほぼ同等の特性が得られることを確認した。次にIGZOをチャネルに用いたトップゲート構造の強誘電体ゲート薄膜トランジスタを作製した。ドレイン電流-ゲート電圧特性において強誘電体によるヒステリシスループを観測し、不揮発性メモリ機能を確認した。メモリウィンドウは4Vであった。またドレイン電流のオンオフ比が10^5以上、サブスレッショルド係数は130mV/decadeと良好な電気的特性が得られた。
- 2010-04-16
著者
-
石原 宏
東京工業大学
-
藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
Yoon Sung-min
Etri
-
Lee Gwang-Geun
東京工業大学精密工学研究所
-
Yoon Sung-Min
Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI)
-
Yoon Joo-Won
東京工業大学総合理工学研究科
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
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