強誘電体(Bi,La)_4Ti_3O_12薄膜と高容量バッファ層を用いたMFMIS構造の作製と評価
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概要
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1トランジスタ(1T)型強誘電体メモリ用強誘電体ゲート構造の性能改善を目的として各層に用いる材料について検討を行った。強誘電体層として従来材料に比べ低温で良好な強誘電体特性が得られる(Bi,La)_4Ti_3O_12(BLT)薄膜,また高集積度化に必須の高容量バッファ層としてLa_2O_3,HfO_2等の高誘電率材料に着目した。これらの材料を用いて強誘電体ゲート構造として有力なMFMIS構造の作製及び特性評価を行い,BLTとHfO_2を用いたMFMIS構造が1T型FeRAM用の強誘電体ゲート構造として有望であることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
鈴木 卓哉
東京工業大学 精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
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