C-11-2 Sr_<0.8>Bi_<2.2>Ta_2O_9,Sr_<0.5>Sm_<0.2>Bi_<2.2>Ta_2O_9を用いたMFMIS構造FETの評価(C-11.シリコン材料・デバイス)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
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徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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徳光 永輔
東京工業大学
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斎木 博和
東京工業大学精密工学研究所
-
青木 智治
東京工業大学精密工学研究所
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