ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
強誘電体ゲートFETと単接合トランジスタ(UJT)を用いたニューロン回路を作製することを目的として、シナプス部を構成するトランジスタマトリクス、およびニューロン部となるUJTパルス発振回路をSOI基板上に作製し、その特性を評価した結果について述べる。まず、3×3構造のMOSFETマトリクスをSOI基板上に形成し、ドレイン電流がオン状態となったMOSFETの数に応じて変化することを示す。さらにチャネル幅の比を1:2:4と変えて形成したMOSFETマトリクスにおいて、電圧を印加するゲート電極の組合せにより、ドレイン電流が8段階に変化することを確認している。次にUJTを用いたパルス発振回路をSOI基板上に集積化し、充電抵抗により発振周波数が制御できることを報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-13
著者
-
石原 宏
東京工業大学
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
永田 康成
東京工業大学 精密工学研究所
-
呉 貞姫
東京工業大学 精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学
-
岡田 伸一郎
東京工業大学 精密工学研究所
-
大曲 隆文
東京工業大学 精密工学研究所
関連論文
- Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
- 人材育成
- ゾルゲル法によるZrO_2、SrZrO_3薄膜の作製と評価
- MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
- 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
- C-11-4 強誘電体を制御キャパシタに用いたニューロンMOSインバータ
- 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 応用物理教育分科会に期待するもの
- 強誘電体メモリ技術
- 学会活動の充実に向けて
- トランジスタ型強誘電体メモリーの現状と展望
- 国立大学の法人化と「もの作り」研究室への期待
- トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
- トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
- 3次元IC技術の現状
- 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
- 次世代強誘電体メモリの研究開発
- 1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
- 1T2C型強誘電体メモリの作製及び評価
- C-12-36 1T2C型強誘電体メモリの周辺回路の設計
- FET型強誘電体メモリの現状
- FET型強誘電体メモリの現状
- C-12-33 強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計
- 高誘電率/強誘電体ゲート絶縁膜の可能性
- 強誘電体ゲートトランジスタの動作原理と開発動向
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ(新型不揮発性メモリ)
- 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ
- (Bi,Nd)_4Ti_3O_/HfO_2/Si(100)構造の作製と評価(新型不揮発性メモリー)
- C-10-4 酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタにおけるメモリ特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- 強誘電体(Bi,La)_4Ti_3O_12薄膜と高容量バッファ層を用いたMFMIS構造の作製と評価
- SSDM2001, 国際固体素子・材料コンファレンス
- MOSトランジスタの動作原理
- 強誘電体ゲートFETの現状と問題点
- 高誘電体・強誘電体薄膜のメモリデバイスへの応用
- 息の長い研究
- 強誘電体薄膜のニューロデバイスへの応用
- どこまで速くなるか? トランジスタの動作速度
- FET型強誘電体メモリの現状
- 巻頭言 : "会長退任にあたって"
- 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
- 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 減圧仮焼成プロセスを用いたBLT強誘電体薄膜の大幅特性向上(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
- ダメージフリーのSi基板直接窒化技術を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
- 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
- ITOチャネルを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
- C-11-5 強誘電体ゲート絶縁膜によるITOチャネル薄膜トランジスタの大電荷制御(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法により形成したBi_La_XTi_3O_(BLT)薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御(新型不揮発性メモリー)
- 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
- C-11-7 減圧仮焼成を用いたゾルゲル法による PZT 薄膜の作製と評価
- ITOチャネル強誘電体ゲートFETの特性改善
- C-11-2 Sr_Bi_Ta_2O_9,Sr_Sm_Bi_Ta_2O_9を用いたMFMIS構造FETの評価(C-11.シリコン材料・デバイス)
- C-11-1 ゾルゲル法により形成したSr_Sm_Bi_Ta_2O_9(SSBT)薄膜の酸素流量依存性(C-11.シリコン材料・デバイス)
- ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
- インターネットにおける自動検索通知システムの構築に関する研究
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- インターネット学習のための新聞情報自動検索通知システムの開発
- インターネットにおける自動検索サービスシステムの構築
- 強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用
- 強誘電体薄膜の半導体基板上への形成とニューロデバイスへの応用
- ビ-ムアニ-リング (半導体ビ-ムプロセス技術)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
- アジア太平洋物理学会連合(AAPPS)定期総会(OGM)及び新理事会参加報告
- 極薄膜成長技術
- 湿式と乾式, どつち?
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性
- Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 半導体におけるキャリヤ濃度の飽和現象
- Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いた SiC-MOSFET の作製と評価
- 応用物理系英文ジャーナルの話題