原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
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概要
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イオンダメージを無視し得るレベルまで抑制したN_2ラジカル及び原子状NラジカルフラックスをSi基板に照射することにより、完全な水素フリー且つダメージフリーの窒化を行う新しいSi直接窒化技術を提案した。Si未結合手の水素終端を用いることなく3.7×10^11cm^-2・eV^-1未満という良好な界面準位密度を実現し、熱窒化膜やプラズマ窒化膜と異なり高温のポスト熱処理にも劣化せず安定な膜であることを示した。ラジカル窒化膜をバッファー層に用いた強誘電体MFIS(Metal Ferroelectric Insulator Semiconductor)構造は高い酸化雰囲気に耐え良好な強誘電体特性を実現できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-12
著者
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