藤崎 芳久 | 東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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概要
関連著者
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藤崎 芳久
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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石原 宏
東京工業大学
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藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
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石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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徳光 永輔
東北大学電気通信研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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貴志 真士
東京工業大学精密工学研究所
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井関 邦江
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
著作論文
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
- 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
- 光電子分光法を用いた強誘電体薄膜表面,電極界面の評価技術