徳光 永輔 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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徳光 永輔
東北大学電気通信研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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舟窪 浩
東京工大 工
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舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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舟窪 浩
東京工業大学総合理工学科学研究所
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舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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中山 誠
東京工業大学精密工学研究所
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高橋 健治
東京工業大学総合理工学研究科
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石原 宏
東京工業大学
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藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
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石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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徳光 永輔
東北大学 電気通信研究所
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藤崎 芳久
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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貴志 真士
東京工業大学精密工学研究所
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井関 邦江
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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徳光 永輔
東北大学 It-21 センター
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亀田 卓
東北大学電気通信研究所
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坪内 和夫
東北大学電気通信研究所
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中瀬 博之
東北大学電気通信研究所
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大嶋 尚一
東北大学電気通信研究所
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日野 史郎
東京工業大学精密工学研究所
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礒田 陽次
東北大学電気通信研究所
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大嶋 尚一
東北大学電気通信研究所:(現)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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藤井 隆司
東北大学電気通信研究所
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吉田 拓央
東北大学電気通信研究所
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金 成權
東北大学電気通信研究所
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吉田 拓央
東北大学 電気通信研究所
著作論文
- C-2-90 viaホールの集中定数等価回路モデル(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))