舟窪 浩 | 東京工大 工
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
舟窪 浩
東京工大 工
-
船窪 浩
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
水谷 惟恭
東京工業大学
-
篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
-
篠崎 和夫
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
水谷 惟恭
東工大工
-
舟窪 浩
東工大工
-
小枝 暢夫
湘南工科大学材料工学科
-
木枝 暢夫
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
今下 勝博
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
篠崎 和夫
東工大工
-
今下 勝博
東京工業大学工学部無機材料工学科:(株)キリンビール(株)包装開発部
-
木枝 暢夫
東京工業大学工学部 無機材料工学科
-
桜井 修
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
舟窪 浩
東京工業大学総合理工学科学研究所
-
篠崎 和夫
東京工大 大学院理工学研究科
-
徳光 永輔
東北大学電気通信研究所
-
桜井 修
東京工業大学大学院材料工学専攻
-
中山 誠
東京工業大学精密工学研究所
-
高橋 健治
東京工業大学総合理工学研究科
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
水谷 惟恭
東工大大学院理工学研究科
-
加藤 誠軌
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
舟窪 浩
東工大総理工
-
篠崎 和夫
東工大
-
佐伯 淳
東京工業大学総合分析支援センターx線分析室
-
加藤 誠軌
東京工業大学
-
日置 毅
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
大津 雅人
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
逸見 博
秩父セメント(株)FC本部
-
稲垣 良昭
東工大工
-
今下 勝博
東工大工
-
徳光 永輔
東北大学 電気通信研究所
-
徳光 永輔
東北大学 It-21 センター
-
寺山 清志
富山大学大学院理工学研究部(工学)
-
佐伯 淳
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
水谷 惟恭
国立東京高等工業専門学校
-
水谷 惟恭
東工大
-
中村 吉伸
東大新領域
-
中村 吉伸
東大院新領域
-
木口 賢紀
東京工業大学総合分析支援センター
-
近藤 正雄
富士通研
-
日野 史郎
東京工業大学精密工学研究所
-
篠崎 和夫
東工大院工
-
脇谷 尚樹
東工大院工
-
永井 正幸
武蔵工業大学
-
車 声雷
TDK(株)材料・プロセス技術開発センター
-
近藤 正雄
富士通株式会社
-
古川 有紀子
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
船窪 浩
東工大工
-
寺山 清志
富山大学工学部
-
木村 武
東京工業大学総合理工学研究科
-
秋山 賢輔
東京工業大学総合理工学研究科
-
木口 賢紀
東工大工
-
Chun Sung
東工大工
-
車 声雷
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
赤井 孝夫
日本フィリップス株式会社
-
近藤 正雄
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
松山 勝美
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
中村 吉伸
東京大学工学部工業化学科
-
松田 元秀
東京都立大学工学部工業化学科
-
山本 浩貴
東京工業大学無機材料工学科
-
大津 雅人
東工大
-
小林 幹雄
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
車 声雷
住友金属鉱山
-
永井 正幸
武蔵工業大学工学部
-
小林 幹雄
東京工業大学工学部 無機材料工学科
著作論文
- La添加SrTiO_3の粒成長に与えるTi/Sr比の影響
- 化学気相成長
- CVD 法による PLZT エピタキシャル薄膜の育成(セラミック・レター)
- 3J17 高品質β-FeSi_2 薄膜の成長機構とその特性評価
- 1A07 イットリア添加ジルコニア薄膜の電気伝導性に及ぼす柱状組織の影響
- 鉛系正方晶ペロブスカイト構造強誘電体薄膜のc軸配向度決定機構の解明 (特集 私の自慢の研究)
- 噴霧熱分解法による球状Pd単結晶粒子の合成プロセスにおける粒子内部構造の発達過程
- 薄膜法を用いたフロンティアセラミックスの合成 (特集 フロンティアセラミックス)
- 半導性エピタキシャルBaTiO_3薄膜の合成とその電気的性質
- MOCVD法で(100)MgO基板上に合成したエピタキシャル成長PbTiO_3およびPZT皮膜内の残留ひずみ
- 水熱法により結晶化した単分散酸化チタン微粒子の形成性及び焼結性
- CVD法によるエピタキシャル成長PZT薄膜の析出条件
- (100)Pt/(100)MgO基板上へのPzT薄膜の合成とその性質
- 高速でエピタキシャル成長させたCVD Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の特徴
- CVD法で合成した窒化鉄-窒化チタン薄膜の微構造
- 研究技術動向の一断面
- Bi_2O_3を拡散したBaTiO_3BLコンデンサの粒界構造
- 2D02 CVD 法により Pt/MgO 基板上に合成した PZT 薄膜の構造
- 2D01 MOCVD 法で合成した PZT 薄膜の電気的性質
- 1E07 CVD 法による BaTiO_3 薄膜の合成に及ぼす原料の影響
- 3B11 CVD 法により合成した PZT 薄膜の微構造とその電気的性質
- 3B10 CVD 法による PLZT 薄膜の合成
- 3B09 CVD 法によるエピタキシャル BaTiO_3 及び SrTiO_3 薄膜の合成
- CVD法によるTaN_x-TiN薄膜の合成
- CVD法による窒化ニオブ薄膜の合成(2. 気相反応法)(新技術によるセラミックスの合成と評価(I))
- HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- CVD法によるPb(Zr,Ti)O_3エピタキシャル薄膜の合成
- CVD法による遷移金属窒化物薄膜の合成と性質