脇谷 尚樹 | 東工大院工
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概要
関連著者
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脇谷 尚樹
東工大院工
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水谷 惟恭
東工大院工
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篠崎 和夫
東工大院
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篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
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水谷 惟恭
東工大大学院理工学研究科
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篠崎 和夫
東工大
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水谷 惟恭
国立東京高等工業専門学校
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木口 賢紀
東工大
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木口 賢紀
東京工業大学総合分析支援センター
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脇谷 尚樹
東工大院
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水谷 惟恭
東工大院
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山田 智明
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
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山田 智明
東工大院
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Shinozaki K
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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水上 智
東工大院
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清水 完
東工大院
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篠崎 和夫
東京工大 大学院理工学研究科
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篠崎 和夫
東工大院工
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水上 智
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
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石垣 寛和
東工大院
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桜井 修
東京工業大学工学部無機材料工学科
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山田 智明
東工大
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脇谷 尚樹
東工大
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桜井 修
東工大院
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松山 勝美
東工大院
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佐伯 淳
東工大工
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近藤 正雄
富士通研
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栗原 和明
富士通研
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舟窪 浩
東京工大 工
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船窪 浩
東京工業大学工学部無機材料工学科
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佐伯 淳
東京工業大学総合分析支援センターx線分析室
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藤戸 啓輔
東工大院
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MIZUTANI Nobuyasu
Tokyo Tech.
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包 定華
東工大院
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陳 軍華
東工大
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邱 徳威
東工大
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Mizutani Nobuyasu
Tokyo National Coll. Of Technol. Tokyo Jpn
著作論文
- 3L19 π種々の希土類元素を添加したジルコニアゲート絶縁膜の界面構造の高分解能 TEM 観察
- 3J09 Ni-Zn フェライト薄膜を成膜した FET 型トランジスタのメモリ動作への実現
- 3J07 強磁性体ゲート薄膜を有する MOS トランジスタの I-V 特性
- 3J02 バッファー層の最適化による高角形比 (Mr/Ms) エピタキシャル (Ni, Zn)Fe_2O_4 薄膜の作製
- 2L04 Si 基板上における Pb(Mg_, Nb_)O_3 薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性
- 1D17 強誘電体 (Pb(Zr, Ti)O_3)/強磁性体積層薄膜における強誘電性、強磁性同時発現に向けた強磁性体およびバッファー層の最適化
- 2L03 パルス MOCVD 法で原料供給方法を変化させた PZT 薄膜の微構造の高品質化
- 1D25 第一原子層制御を用いたヘテロエピタキシャル SrTiO_3/CeO_2(001) 薄膜の界面特性とその安定性
- 1D22 Si(001) 基板上低温化エピタキシャル YSZ 薄膜の合成の実現化
- 1D11 PLD 法による Pb(Mg_Nb_)O_3 (PMN) 薄膜の強誘電特性の膜厚依存性
- 薄膜法を用いたフロンティアセラミックスの合成 (特集 フロンティアセラミックス)
- Si(001)基板上に作製したエピタキシャル成長ニッケル亜鉛フェライト薄膜の結晶構造と磁気特性におよぼすバッファー層の効果
- 3L03 Structural and electrical properties of (Bi, La)_4Ti_3O_ thin films with a thin Bi_2O_3 top-layer prepared by chemical solution deposition method
- 1F25 Mosaic defect identification in multi-heteroepitaxial films by high-resolution X-ray diffraction
- 1D19 LaNiO_3 中間層が (Sr_Ba_)Nb_2O_6 薄膜の特性に及ぼす影響
- 3A15 TEM, XRD による PMN/LSCO/CeO_2/YSZ/Si 薄膜のインテグレート構造と誘電率の膜厚依存性
- 3D03 加熱 TEM 観察による PZT 薄膜の結晶成長に及ぼすシード層の効果の解明
- 1D23 加熱 TEM 観察による YSZ/SiOx/Si 薄膜における SiOx 層の還元過程の解明
- 3D04 CeO_2/ZrO_2/Si 多層膜界面構造の HRTEM 観察