水谷 惟恭 | 東工大院工
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概要
関連著者
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脇谷 尚樹
東工大院工
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水谷 惟恭
東工大院工
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篠崎 和夫
東工大院
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水谷 惟恭
国立東京高等工業専門学校
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篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
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脇谷 尚樹
東工大院
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水谷 惟恭
東工大院
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山田 智明
東工大院
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山田 智明
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
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水上 智
東工大院
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清水 完
東工大院
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水上 智
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
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石垣 寛和
東工大院
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桜井 修
東京工業大学工学部無機材料工学科
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木口 賢紀
東京工業大学総合分析支援センター
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木口 賢紀
東工大
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桜井 修
東工大院
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松山 勝美
東工大院
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近藤 正雄
富士通研
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栗原 和明
富士通研
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篠崎 和夫
東工大院工
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藤戸 啓輔
東工大院
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Shinozaki K
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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包 定華
東工大院
著作論文
- 3J09 Ni-Zn フェライト薄膜を成膜した FET 型トランジスタのメモリ動作への実現
- 3J07 強磁性体ゲート薄膜を有する MOS トランジスタの I-V 特性
- 3J02 バッファー層の最適化による高角形比 (Mr/Ms) エピタキシャル (Ni, Zn)Fe_2O_4 薄膜の作製
- 2L04 Si 基板上における Pb(Mg_, Nb_)O_3 薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性
- 1D17 強誘電体 (Pb(Zr, Ti)O_3)/強磁性体積層薄膜における強誘電性、強磁性同時発現に向けた強磁性体およびバッファー層の最適化
- 2L03 パルス MOCVD 法で原料供給方法を変化させた PZT 薄膜の微構造の高品質化
- 1D25 第一原子層制御を用いたヘテロエピタキシャル SrTiO_3/CeO_2(001) 薄膜の界面特性とその安定性
- 1D22 Si(001) 基板上低温化エピタキシャル YSZ 薄膜の合成の実現化
- 3L03 Structural and electrical properties of (Bi, La)_4Ti_3O_ thin films with a thin Bi_2O_3 top-layer prepared by chemical solution deposition method
- 3D04 CeO_2/ZrO_2/Si 多層膜界面構造の HRTEM 観察