1D25 第一原子層制御を用いたヘテロエピタキシャル SrTiO_3/CeO_2(001) 薄膜の界面特性とその安定性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本セラミックス協会の論文
- 2001-09-26
著者
関連論文
- 3L19 π種々の希土類元素を添加したジルコニアゲート絶縁膜の界面構造の高分解能 TEM 観察
- 3J09 Ni-Zn フェライト薄膜を成膜した FET 型トランジスタのメモリ動作への実現
- 3J07 強磁性体ゲート薄膜を有する MOS トランジスタの I-V 特性
- 3J02 バッファー層の最適化による高角形比 (Mr/Ms) エピタキシャル (Ni, Zn)Fe_2O_4 薄膜の作製
- 2L04 Si 基板上における Pb(Mg_, Nb_)O_3 薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性
- S0405-1-4 収差補正電子顕微鏡によるセラミック薄膜の界面構造解析(セラミックス/セラミックス基礎合材料I)
- 1D17 強誘電体 (Pb(Zr, Ti)O_3)/強磁性体積層薄膜における強誘電性、強磁性同時発現に向けた強磁性体およびバッファー層の最適化
- 2L03 パルス MOCVD 法で原料供給方法を変化させた PZT 薄膜の微構造の高品質化
- PLD法によるSiO_2/Si(001)基板上エピタキシャルYSZ薄膜の室温合成(セラミックスインテグレーション)
- 1D25 第一原子層制御を用いたヘテロエピタキシャル SrTiO_3/CeO_2(001) 薄膜の界面特性とその安定性
- 1D22 Si(001) 基板上低温化エピタキシャル YSZ 薄膜の合成の実現化
- Si(001)基板上へ成膜したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜の初期のエピタキシャル成長過程へのSiO_2層厚さの影響
- パルスレーザー蒸着法によるSi(001)上へのYSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長に及ぼす酸素分圧とレーザーエネルギー密度の影響
- 1D11 PLD 法による Pb(Mg_Nb_)O_3 (PMN) 薄膜の強誘電特性の膜厚依存性
- 薄膜法を用いたフロンティアセラミックスの合成 (特集 フロンティアセラミックス)
- Si(001)基板上に作製したエピタキシャル成長ニッケル亜鉛フェライト薄膜の結晶構造と磁気特性におよぼすバッファー層の効果
- 巨大圧電性を目指したPb(Zr,Ti)O_3単結晶膜の作製
- ペロブスカイト構造酸化物の薄膜化技術の最新動向
- 3L03 Structural and electrical properties of (Bi, La)_4Ti_3O_ thin films with a thin Bi_2O_3 top-layer prepared by chemical solution deposition method
- 1F25 Mosaic defect identification in multi-heteroepitaxial films by high-resolution X-ray diffraction
- 1D19 LaNiO_3 中間層が (Sr_Ba_)Nb_2O_6 薄膜の特性に及ぼす影響
- 3A15 TEM, XRD による PMN/LSCO/CeO_2/YSZ/Si 薄膜のインテグレート構造と誘電率の膜厚依存性
- 3D03 加熱 TEM 観察による PZT 薄膜の結晶成長に及ぼすシード層の効果の解明
- 1D23 加熱 TEM 観察による YSZ/SiOx/Si 薄膜における SiOx 層の還元過程の解明
- 3D04 CeO_2/ZrO_2/Si 多層膜界面構造の HRTEM 観察
- 東京工業大学 水谷・篠崎研究室