3J09 Ni-Zn フェライト薄膜を成膜した FET 型トランジスタのメモリ動作への実現
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概要
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- 日本セラミックス協会の論文
- 2002-09-22
著者
-
桜井 修
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
水谷 惟恭
国立東京高等工業専門学校
-
篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
-
水上 智
東工大院
-
清水 完
東工大院
-
桜井 修
東工大院
-
脇谷 尚樹
東工大院
-
篠崎 和夫
東工大院
-
水谷 惟恭
東工大院
-
脇谷 尚樹
東工大院工
-
水谷 惟恭
東工大院工
-
水上 智
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
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