PZT薄膜の90°ドメイン構造のTEM観察と強誘電特性
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概要
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断面加熱TEM観察法及び断面HRTEM法によりエピタキシャルPZT積層薄膜の90°ドメイン構造の形成過程及びみZr/Ti比・基板種による90°ドメイン構造・P-Eヒステリシス特性の変化を調べた.90°ドメイン構造は相転移温度近傍で形成され冷却過程での成長はみられなかりたPZT20/80では幅20nm程度の帯状の90°ドメインがPZT層を貫通する形で存在しているのに対して,MPBに近いPZT50/50では45nmサイズのナノドメインが,PZT層を貫通することなく,密集して存在していた.PZT20/80では基板によるP-Eヒステリシスの差異は小さかったが,PZT50/50では残留分極に大きな変化が現れた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-08
著者
-
水谷 惟恭
東京工業大学
-
脇谷 尚樹
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
篠崎 和夫
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
水谷 惟恭
国立東京高等工業専門学校
-
篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
-
木口 賢紀
東京工業大学総合分析支援センター
-
脇谷 尚樹
東京工大 大学院理工学研究科
-
篠崎 和夫
東京工大 大学院理工学研究科
-
篠崎 和夫
東工大院工
-
Wakiya Naoki
Graduate School Of Sci. And Technol. Shizuoka Univ.
-
Wakiya Naoki
Department Of Materials Science And Chemical Engineering Shizuoka University
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