研削砥石の製造に関する研究 : アルミナ質研削砥石
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1980-07-01
著者
-
水谷 惟恭
東京工業大学
-
篠崎 和夫
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
-
加藤 誠軌
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
植松 敬三
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
岡田 昭次郎
三井研削砥石(株)
-
亀山 次彦
三井研削砥石(株)
-
横井 誠
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
加藤 誠軌
東京工業大学
関連論文
- 12-102 高大連携教育活動(第1報) : サマーレクチャー((24)高大院連携-I)
- 超音波噴霧ICPフラッシュ蒸着法による異種組成ジルコニア薄膜の積層化
- Pb(Fe_Nb_)O_3(PFN)及びPb(Sc_Ta)O_3(PST)における秩序-無秩序転移に及ぼすAサイト置換効果
- 21世紀に向けて,産学官共同研究のあり方
- 東京工業大学における在学生及び卒業生による授業評価について(大学におけるカリキュラム改革等の進捗状況)
- 「Changing World」と「CerSJ」
- (332)工学教育プログラム基準強化活動(第1報) : コアリッションによる工学教育の相乗効果(セッション97 工学教育の個性化・活性化IX・国際化時代における工学教育V)
- 28p-ZE-9 単一酸化チタン微小球中のEu不純物
- デラフォサイト型化合物における8面体層の変形
- 12-103 高大連携教育活動(第2報) : サマーチャレンジー((24)高大院連携-I)
- 工学系学部学生の「人間力」に関する調査
- YSZシード層によるSi(001)基板上へのCeO_2薄膜のエピタキシャル成長
- 8大学工学教育プログラムにおける大学院教育に関する検討と試行
- 基板サイズが(Bi, La)_4Ti_3O_薄膜の結晶方位と電気特性に及ぼす影響
- バッファーレイヤーのセラミック薄膜への適用
- 3L05 MOCVD 法による Nb 添加 SrTiO_3 多結晶薄膜の作成とその半導性
- 単分散ジルコニア微粒子の合成
- Ti(OC_2H_5)_4の加水分解による単分散チタニア微粒子の合成
- PLD法により作製したNi-Znフェライト薄膜の磁気特性に及ぼす組成,結晶性の影響(セラミックスインテグレーション)
- ICPフラッシュ蒸着法によるBaTiO_3薄膜の合成
- Ta-N系の相関係
- 不定比炭化チタンの焼結性と機械的性質
- TiN_x の焼結に及ぼす不定比性の影響
- Er_2O_3-ZrO_2 系固溶体の焼結
- 酸化物系助剤を加えて焼結した炭化ケイ素砥材の性質
- 酸窒化チタンの焼結
- 研削砥石の製造に関する研究 : アルミナ質研削砥石
- この人にきく
- La添加SrTiO_3の粒成長に与えるTi/Sr比の影響
- 化学気相成長
- CVD 法による PLZT エピタキシャル薄膜の育成(セラミック・レター)
- PLD法によるSiO_2/Si(001)基板上エピタキシャルYSZ薄膜の室温合成(セラミックスインテグレーション)
- Si(001)基板上へ成膜したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜の初期のエピタキシャル成長過程へのSiO_2層厚さの影響
- パルスレーザー蒸着法によるSi(001)上へのYSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長に及ぼす酸素分圧とレーザーエネルギー密度の影響
- (61)科学技術への深き学びを拓くために : 東工大工学部における卒研生アンケートについて(第17セッション 教育評価・自己点検・評価システム(II))
- 噴霧熱分解法による球状Pd単結晶粒子の合成プロセスにおける粒子内部構造の発達過程
- 半導性エピタキシャルBaTiO_3薄膜の合成とその電気的性質
- MOCVD法で(100)MgO基板上に合成したエピタキシャル成長PbTiO_3およびPZT皮膜内の残留ひずみ
- 水熱法により結晶化した単分散酸化チタン微粒子の形成性及び焼結性
- CVD法によるエピタキシャル成長PZT薄膜の析出条件
- (100)Pt/(100)MgO基板上へのPzT薄膜の合成とその性質
- 高速でエピタキシャル成長させたCVD Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の特徴
- CVD法で合成した窒化鉄-窒化チタン薄膜の微構造
- Bi_2O_3を拡散したBaTiO_3BLコンデンサの粒界構造
- 単分散 Al_2O_3 微粒子の合成
- 接合試料におけるAlN焼結体粒界相の移動現象
- CVD法によるTaN_x-TiN薄膜の合成
- 単一液滴の乾燥過程と噴霧熱分解法による酸化物微粒子の生成機構の解析
- 還元雰囲気中熱処理によるAlN焼結体の粒界面の移動現象
- ポリシラザン溶液の噴霧熱分解法によるSi_3N_4球状微粒子の合成(セラミック・レター)(導電性セラミックス)
- La_2CuO_4焼結体の電気的性質の組成依存性(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
- YBa_2Cu_3O_x超伝導体の微構造が臨界電流密度に及ぼす影響(超伝導セラミックス)(導電性セラミックス)
- 噴霧熱分解原料用ポリシラザンの合成と熱分解挙動
- 噴霧熱分解法によるPb(Zr,Ti)O_3球状微粒子の合成と組成分布
- 3PbO・Fe_2O_3・WO_3の反応過程における液相生成
- Y-PSZ結晶における応力誘起変態のSEM観察
- 酸窒化ジルコニウムの合成と熱的挙動
- アルコキシドの噴霧熱分解によるムライト粉末の合成
- YBa_2Cu_3O_xの相安定性と分解挙動
- 金属アルコキシド噴霧熱分解法で合成したSiO_2球状粒子の微構造に及ぼす原料溶液の影響
- CVD法による窒化ニオブ薄膜の合成(2. 気相反応法)(新技術によるセラミックスの合成と評価(I))
- 背面反射ラウエ写真解析用のマイクロコンピュータープログラム
- 金属アルコキシドの超音波噴霧熱分解法によるSrTiO_3球状粒子の微構造(セラミックスの微細構造)
- Nb-N系の相平衡
- C型希土類酸化物Yb_2O_3及びEr_2O_3の高温構造変化
- 金属アルコキシド(Ti(i-OC_3H_7)_4)の噴霧熱分解法によるTiO_2微粒子の合成とその生成機構
- ルチル型酸化物 TiO_2 と SnO_2 の高温構造
- エピタキシャルチタン酸鉛薄膜の誘電特性に及ぼす外的応力印加により生じる残留応力の影響
- 非対称X線回折によるエピタキシャル薄膜の残留応力の評価手法
- 単結晶X線回折及びEXAFSによるPbZn_Nb_O_3の構造研究
- 結晶構造の観点から見たPbMg_Nb_O_3のパイロクロア型化合物への熱分解挙動
- 超微粒子窒化アルミニウム粉末の焼結
- エマルション法によるセラミックス単分散粒子の合成
- MOCVD法により合成したバリスター特性を有するNb,Bi同時添加SrTiO_3薄膜の成長挙動(セラミックスインテグレーション)
- La添加SrTiO_3セラミックスの粒成長挙動に及ぼす液相の濡れ性の影響
- 減圧熱プラズマ成膜法によるチタン酸鉛PbTiO_3薄膜の合成に及ぼす成膜圧力の影響
- 半導性SrTiO_3単結晶接合界面の微構造と酸化還元処理によるI-V特性の変化
- 噴霧熱分解法によるSiO_2被覆Pd粒子の合成と粒子構造の形成機構
- 超音波噴霧熱分解法による球状Pd金属粉末の合成に及ぼす出発原料の影響
- ICP フラッシュ蒸着法による Ni-Zn フェライト薄膜の合成
- BaTiO_3-Pb(Mg_Nb_)O_3系誘電体の合成と誘電的性質
- 超音波噴霧熱分解法によるPb(Mg_Nb_)O_3微粒子の合成
- La_2Cu_Zn_xO_の高温電気伝導
- 一粒界の PTC 効果の直接測定(セラミック・レターズ)
- 3 mol%Y_2O_3-ZrO_2の強弾性ドメインスイッチングに及ぼす相分離の影響
- セリア部分安定化ジルコニアの強弾性ドメインスイッチングの臨界応力に及ぼす軸比の影響
- ジルコニアの強弾性ドメインスイッチングに及ぼす希土類イオン半径の影響
- PZTの圧電性と圧縮強度に及ぼす加電圧の影響
- 正方晶ジルコニア擬単結晶の強弾性ドメインスイッチングと酸素欠陥の関係
- ジルコニア結晶の強弾性ドメインスイッチングに及ぼす応力,温度の影響
- 電気化学的還元したY-PSZ結晶の酸素欠損領域の生成機構
- シード層の導入によるPZT,PT薄膜の結晶性/配向性の制御(セラミックスインテグレーション)
- YSZ/SiO_x/(001)Si薄膜のエピタキシャル成長における極薄SiO_x層の役割(セラミックスインテグレーション)
- PZT薄膜の90°ドメイン構造のTEM観察と強誘電特性
- ZnOバリスタの一粒界のI-V特性
- Pr系ZnOバリスターの粒成長と粒界相の生成に及ぼす焼成温度と雰囲気の影響
- さまざまな下部電極を導入したPZT薄膜の残留応力と誘電特性の変化(セラミックスインテグレーション)
- パルスレーザー蒸着法によるSr_Ba_Nb_2O_6薄膜の成膜ガス雰囲気と膜厚が配向性と表面形状に及ぼす影響(セラミックスインテグレーション)
- SrTiO_3シードバッファー層の導入によるPb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜の結晶成長(セラミックスインテグレーション)
- 低酸素圧下で合成したエピタキシャルLa__Sr__CoO_3(LSCO)薄膜の電気特性(セラミックスインテグレーション)