CVD法によるTaN_x-TiN薄膜の合成
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概要
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TaN_x-TiN films were prepared on fused silica substrates from the gas mixture of TaCl_5-TiCl_4-N_2-H_2 under an atmospheric pressure. The deposition rate, constituent phase, chemical composition and microstructure of the films were investigated as a function of deposition temperature and input gas composition. The films consisted of TaN_x and TiN. At the deposition temperature of 900 ℃, the deposition rate and the composition of TaN_x-TiN films were in good agreement with expectations based on each deposition behavior of TaN_x and TiN films. On the other hand, at 1000℃ and 1100℃, the deposition of TaN_x was suppressed in TaN_x-TiN films compared with the expectation. TaN_x-TiN films were consisted of finer particles comparig with TaN_x and TiN films.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1990-02-01
著者
-
水谷 惟恭
東京工業大学
-
加藤 誠軌
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
舟窪 浩
東京工大 工
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
船窪 浩
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
木枝 暢夫
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
加藤 誠軌
東京工業大学
-
小林 幹雄
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
小枝 暢夫
湘南工科大学材料工学科
-
小林 幹雄
東京工業大学工学部 無機材料工学科
-
木枝 暢夫
東京工業大学工学部 無機材料工学科
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