半導性エピタキシャルBaTiO_3薄膜の合成とその電気的性質
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概要
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Submicron semiconductive epitaxial BaTiO_3 thin film was prepared on(100)MgO substrate. An epitaxially grown BaTiO_3 film prepared by MOCVD was coated with ethanol solution of LaCl_3 and heated under a reducing atmosphere at 800-1200°C. The resistivity was less than 1 Ω・cm and the carrier concentration was in the order of 10^<18> cm^<-3>. The film was n-type semiconductor and the resistivity increased abruptly with the increase in temperature above 600°C in air because of the decrease of the carrier concentration.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1996-01-01
著者
-
水谷 惟恭
東京工業大学
-
桜井 修
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
篠崎 和夫
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
-
舟窪 浩
東京工大 工
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
船窪 浩
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
日置 毅
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
桜井 修
東京工業大学大学院材料工学専攻
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