CVD法によるエピタキシャル成長PZT薄膜の析出条件
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概要
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Epitaxially grown Pb (Zr,Ti)O_3 [PZT] fihns were deposited on (100) MgO substrates by CVD and the effects of deposition parameters on the epitaxial growih of the films were investigated. The films con sisting of PZT single phases were deposited from about 0.4 to 0.5 of Pb/ (Pb+Zr+Ti) and the epitaxially grown film was obtained near 0.5 of Pb/(Pb+Zr+Ti) . Epitaxially grown PZT films were deposited over wide deposition conditions; 600-700℃ of the deposition tem perature, 1.1-6.7 kPa of the total gas pressure and 64 Pa-1.1 kPa of the oxygen partial pressure.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1994-08-01
著者
-
水谷 惟恭
東京工業大学
-
篠崎 和夫
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
-
舟窪 浩
東京工大 工
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
船窪 浩
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
今下 勝博
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
松山 勝美
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
今下 勝博
東京工業大学工学部無機材料工学科:(株)キリンビール(株)包装開発部
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