脇谷 尚樹 | 東工大院
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概要
関連著者
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水谷 惟恭
国立東京高等工業専門学校
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篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
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脇谷 尚樹
東工大院
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篠崎 和夫
東工大院
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水谷 惟恭
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東工大院工
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水上 智
東工大院
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清水 完
東工大院
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水上 智
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
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桜井 修
東京工業大学工学部無機材料工学科
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桜井 修
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松山 勝美
東工大院
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山田 智明
東工大院
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近藤 正雄
富士通研
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栗原 和明
富士通研
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山田 智明
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
著作論文
- 3J09 Ni-Zn フェライト薄膜を成膜した FET 型トランジスタのメモリ動作への実現
- 3J07 強磁性体ゲート薄膜を有する MOS トランジスタの I-V 特性
- 3J02 バッファー層の最適化による高角形比 (Mr/Ms) エピタキシャル (Ni, Zn)Fe_2O_4 薄膜の作製
- 2L04 Si 基板上における Pb(Mg_, Nb_)O_3 薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性