栗原 和明 | 富士通研
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概要
関連著者
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栗原 和明
富士通研
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近藤 正雄
富士通研
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亀原 伸男
(株)富士通研究所
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塚田 峰春
(株)富士通研究所基盤技術研究所
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亀原 伸男
(株)富士通研究所厚木研究所
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亀原 伸男
(株)富士通研究所 材料・環境技術研究所
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近藤 正雄
富士通株式会社
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塚田 峰春
(株)富士通研究所
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栗原 和明
(株)富士通研究所
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クロス ジェフリースコット
Fujitsu Laboratories Ltd.
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水谷 惟恭
国立東京高等工業専門学校
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篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
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脇谷 尚樹
東工大院
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篠崎 和夫
東工大院
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水谷 惟恭
東工大院
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山田 智明
東工大院
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山田 智明
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
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肥田 勝春
富士通研究所
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亀原 伸男
富士通研究所
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脇谷 尚樹
東工大院工
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水谷 惟恭
東工大院工
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山脇 秀樹
富士通株式会社
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塚田 峰春
富士通株式会社
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丸山 研二
富士通株式会社
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栗原 和明
富士通株式会社
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栗原 和明
Fujitsu Laboratories Ltd.
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塚田 峰春
Fujitsu Laboratories Ltd.
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塚田 峰春
富士通研
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朽網 道徳
富士通研
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CROSS Jeffrey
(株)富士通研究所
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近藤 正雄
(株)富士通研究所材料技術研究所無機・高分子材料研究部
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肥田 勝春
(株)富士通研究所材料技術研究所無機・高分子材料研究部
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肥田 勝春
(株)富士通研究所基盤技術研究所
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近藤 正雄
(株)富士通研究所 環境・エネルギー研究センター
著作論文
- 2L04 Si 基板上における Pb(Mg_, Nb_)O_3 薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性
- 次世代デバイスに向けたSi基板上のPZTエピタキシャル薄膜の特性(新型不揮発性メモリー)
- 強誘電体メモリーの高信頼化技術の開発
- 1L18 PbNi_Nb_O_3-PbTiO_3-PbZrO_3 系セラミックスの圧電特性と電界誘起歪
- 3B05 PbNi_Nb_O_3-PbTiO_3-PbZrO_3 系圧電セラミックスの相変化挙動
- スパッター法によるチタン酸ジルコン酸バリウム薄膜の作製と評価
- PbNi_Nb__3-PbTiO_3-PbZrO_3 セラミックスの相境界付近における圧電特性