次世代デバイスに向けたSi基板上のPZTエピタキシャル薄膜の特性(新型不揮発性メモリー)

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概要

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• シリコン(Si)単結晶基板上にCVD法で形成したマグネシアスピネル(MgAl_2O_4)エピタキシャル薄膜をバッファとしてチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)エピタキシャル膜を形成し。そのドメイン構造や分極特性を調査した.MgAl_2O_4上にイリジウム(Ir)薄膜が、その上部にPZT薄膜がエピタキシャル成長することを確認した.マグネシア(MgO)単結晶基板上と比較して、Si基板上にエピタキシャル成長されたPZT薄膜の分極量と抗電界は小さくなった.これはSi基板との線膨張係数差に起因する引張応力を受けているためである。また基板垂直方向と面内方向の格子定数を調査した結果、Si基板上のa軸配向成分は、ほとんど分極をもたない擬立方晶となっていた.Si基板上に形成されたPZTエピタキシャル薄膜は基板応力を受けてソフト化していると考えられ、抗電界の値が小さくなっている原因と考えられる.Si基板上の(001)PZTエピタキシャル薄膜は比較的小さい抗電界を有していることから、低電圧駆動用のメモリ、アクチュエータ等の応用に有望と考えられる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-03-10

著者

• 近藤 正雄

  富士通研

• 栗原 和明

  富士通研

• 山脇 秀樹

  富士通株式会社

• 近藤 正雄

  富士通株式会社

• 塚田 峰春

  富士通株式会社

• 丸山 研二

  富士通株式会社

• 栗原 和明

  富士通株式会社

• 塚田 峰春

  (株)富士通研究所基盤技術研究所

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