FRAM混載LSI用強誘電体新材料技術 (特集 研究開発最前線)

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概要

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• 富士通の論文

著者

• 近藤 正雄

  富士通株式会社

関連論文

• 次世代デバイスに向けたSi基板上のPZTエピタキシャル薄膜の特性(新型不揮発性メモリー)
• 27pPSB-4 La_Bi_xNi_Mn_O_3の磁性と誘電特性(27pPSB 領域3ポスターセッション(酸化物磁性,スピングラス・ランダム・アモルファス系,量子スピン系(一次元系,二次元系),量子スピン系(クラスターおよび一般),フラストレーション系,実験技術開発,磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 水熱法により結晶化した単分散酸化チタン微粒子の形成性及び焼結性
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• 27aPS-43 BaRuO_3薄膜の構造と電子輸送現象(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aYA-9 PLZTとPZTエピタキシャル膜の電気光学定数における結晶方位と結晶構造の影響(27aYA 領域10,領域5合同 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aYR-4 PLZTエピタキシャル膜における電気光学定数の結晶方位依存性(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 水熱結晶化した単分散酸化チタン微粒子の結晶化挙動とその徴構造
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