塚田 峰春 | (株)富士通研究所基盤技術研究所
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概要
関連著者
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塚田 峰春
(株)富士通研究所基盤技術研究所
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塚田 峰春
(株)富士通研究所
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有本 由弘
(株)富士通研究所
著作論文
- 次世代デバイスに向けたSi基板上のPZTエピタキシャル薄膜の特性(新型不揮発性メモリー)
- 強誘電体メモリーの高信頼化技術の開発
- スパッター法によるチタン酸ジルコン酸バリウム薄膜の作製と評価
- PbNi_Nb__3-PbTiO_3-PbZrO_3 セラミックスの相境界付近における圧電特性
- 強誘電体薄膜のメモリー応用
- 微小液滴形成ユニットのための印刷型圧電アクチュエータの研究(機構デバイス)
- 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)