スパッター法によるチタン酸ジルコン酸バリウム薄膜の作製と評価

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概要

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• The potential use of Ba(Zr, Ti)O_3(BZT)thin films as a decoupling capacitor for a multi chip module(MCM)has been examined. The crystal structure of BZT thin films on Pt(100)/MgO(100)and MgO(100)deposited from Ba(Zr_<0.2>Ti_<0.8>)O_3 powder targets has a perovskite structure and were strongly(100)oriented. The crystal structure of BZT thin films on Pt(111)was different from that of Pt(100)/MgO(100)and MgO(100)substrates. The degree of(100)orientation on Pt(111)/SiO_2/Si increased with increasing deposition temperature. A maximum dielectric constant of 150 was obtained at 600℃ deposition. The loss tangent, leakage current and temperature dependence of capacitance of these BZT thin films were very small.

• 社団法人日本セラミックス協会の論文
• 1997-09-01

著者

• 栗原 和明

  富士通研

• 亀原 伸男

  (株)富士通研究所厚木研究所

• 亀原 伸男

  (株)富士通研究所

• 亀原 伸男

  (株)富士通研究所 材料・環境技術研究所

• 塚田 峰春

  (株)富士通研究所基盤技術研究所

• 塚田 峰春

  (株)富士通研究所

• 栗原 和明

  (株)富士通研究所

• クロス ジェフリースコット

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• CROSS Jeffrey

  (株)富士通研究所

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