2L04 Si 基板上における Pb(Mg_<1/3>, Nb_<2/3>)O_3 薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本セラミックス協会の論文
- 2002-09-22
著者
-
水谷 惟恭
国立東京高等工業専門学校
-
篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
-
脇谷 尚樹
東工大院
-
篠崎 和夫
東工大院
-
水谷 惟恭
東工大院
-
山田 智明
東工大院
-
近藤 正雄
富士通研
-
栗原 和明
富士通研
-
山田 智明
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
-
脇谷 尚樹
東工大院工
-
水谷 惟恭
東工大院工
関連論文
- (106)科学技術への深き学びを拓くために : 東工大工学部におけるFD研修会について(第29セッション ファカルティ・デベロップメント(I))
- 超音波噴霧ICPフラッシュ蒸着法による異種組成ジルコニア薄膜の積層化
- Pb(Fe_Nb_)O_3(PFN)及びPb(Sc_Ta)O_3(PST)における秩序-無秩序転移に及ぼすAサイト置換効果
- 6-103 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第3報) : 競争力の構築ヘ((13)体系的教育課程の構成-I)
- Y_2O_3-Ta_2O_5混合ドープZrO_2ゲート絶縁膜界面の高分解能観察
- 溶液気化化学気相堆積法(LSMCVD)によるPbTiO_3薄膜の作製
- 高分解能分析電子顕微鏡による二酸化セリウム/イットリア安定化ジルコニア/シリコンヘテロ界面構造の原子スケール構造評価(原子をみる)
- バッファーレイヤの導入によるセラミックス機能性薄膜の実現 (特集/最近のセラミックス薄膜)
- 12-103 高大連携教育活動(第2報) : サマーチャレンジー((24)高大院連携-I)
- 6-101 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第1報) : 問題の記述((13)体系的教育課程の構成-I)
- 工学系学部学生の「人間力」に関する調査
- YSZシード層によるSi(001)基板上へのCeO_2薄膜のエピタキシャル成長
- 8大学工学教育プログラムにおける大学院教育に関する検討と試行
- 基板サイズが(Bi, La)_4Ti_3O_薄膜の結晶方位と電気特性に及ぼす影響
- バッファーレイヤーのセラミック薄膜への適用
- 機能性薄膜におけるバッファーレイヤの役割 (特集 セラミックスインテグレーション)
- 3L19 π種々の希土類元素を添加したジルコニアゲート絶縁膜の界面構造の高分解能 TEM 観察
- 3L05 MOCVD 法による Nb 添加 SrTiO_3 多結晶薄膜の作成とその半導性
- 3J09 Ni-Zn フェライト薄膜を成膜した FET 型トランジスタのメモリ動作への実現
- 3J08 強磁性体 /FET トランジスタ構造の試作とメモリーデバイスとしての可能性
- 3J07 強磁性体ゲート薄膜を有する MOS トランジスタの I-V 特性
- 3J02 バッファー層の最適化による高角形比 (Mr/Ms) エピタキシャル (Ni, Zn)Fe_2O_4 薄膜の作製
- 3D04 セラミックス薄膜の高温格子変化における基板及びバッファー層の影響
- 2L04 Si 基板上における Pb(Mg_, Nb_)O_3 薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性
- (197)進化する創造性教育(第3報) : 東京工業大学における創造性育成科目の発展と現状(セッション56 創成教育IX)
- 1-329 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第11報) : 博士研究者データベース(2006年度)(口頭発表論文,(15)工学教育システムの個性化・活性化-II)
- (334)工学教育プログラム基準強化活動(第3報) : 国際競争力ある人材に求められる資質とその育成(セッション97 工学教育の個性化・活性化IX・国際化時代における工学教育V)
- S0405-1-4 収差補正電子顕微鏡によるセラミック薄膜の界面構造解析(セラミックス/セラミックス基礎合材料I)
- PLD法により作製したNi-Znフェライト薄膜の磁気特性に及ぼす組成,結晶性の影響(セラミックスインテグレーション)
- 電子セラミックスの最先端研究動向と将来展望
- 第17回サーバー基礎編 Macによるサーバー構築編
- ワシントン大学材料工学科
- ICPフラッシュ蒸着法によるBaTiO_3薄膜の合成
- 収差補正TEMによるZrO_2超薄膜における構造遷移層の解明
- Er_2O_3-ZrO_2 系固溶体の焼結
- 酸窒化チタンの焼結
- 研削砥石の製造に関する研究 : アルミナ質研削砥石
- (196)進化する創造性教育(第2報) : 東京工業大学における教育課程中での位置づけ(セッション56 創成教育IX)
- (195)進化する創造性教育(第1報) : 東京工業大学における推進システム(セッション56 創成教育IX)
- (178)科学技術への深き学びを拓くために : 東工大工学部における創造性教育について(第47セッション 創成教育(VI))
- 2L03 パルス MOCVD 法で原料供給方法を変化させた PZT 薄膜の微構造の高品質化
- La添加SrTiO_3の粒成長に与えるTi/Sr比の影響
- PLD法によるSiO_2/Si(001)基板上エピタキシャルYSZ薄膜の室温合成(セラミックスインテグレーション)
- Si(001)基板上へ成膜したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜の初期のエピタキシャル成長過程へのSiO_2層厚さの影響
- パルスレーザー蒸着法によるSi(001)上へのYSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長に及ぼす酸素分圧とレーザーエネルギー密度の影響
- (107)科学技術への深き学びを拓くために : 東工大工学部における教育改善への取り組みについて(第29セッション ファカルティ・デベロップメント(I))
- (62)工学教育への深き学びを拓くために : 東工大工学部における授業評価アンケートについて(第17セッション 教育評価・自己点検・評価システム(II))
- (61)科学技術への深き学びを拓くために : 東工大工学部における卒研生アンケートについて(第17セッション 教育評価・自己点検・評価システム(II))
- 鉛系正方晶ペロブスカイト構造強誘電体薄膜のc軸配向度決定機構の解明 (特集 私の自慢の研究)
- 噴霧熱分解法による球状Pd単結晶粒子の合成プロセスにおける粒子内部構造の発達過程
- 薄膜法を用いたフロンティアセラミックスの合成 (特集 フロンティアセラミックス)
- 半導性エピタキシャルBaTiO_3薄膜の合成とその電気的性質
- MOCVD法で(100)MgO基板上に合成したエピタキシャル成長PbTiO_3およびPZT皮膜内の残留ひずみ
- 水熱法により結晶化した単分散酸化チタン微粒子の形成性及び焼結性
- CVD法によるエピタキシャル成長PZT薄膜の析出条件
- (100)Pt/(100)MgO基板上へのPzT薄膜の合成とその性質
- 高速でエピタキシャル成長させたCVD Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の特徴
- CVD法で合成した窒化鉄-窒化チタン薄膜の微構造
- Bi_2O_3を拡散したBaTiO_3BLコンデンサの粒界構造
- 単分散 Al_2O_3 微粒子の合成
- 接合試料におけるAlN焼結体粒界相の移動現象
- 還元雰囲気中熱処理によるAlN焼結体の粒界面の移動現象
- La_2CuO_4焼結体の電気的性質の組成依存性(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
- エピタキシャルチタン酸鉛薄膜の誘電特性に及ぼす外的応力印加により生じる残留応力の影響
- 非対称X線回折によるエピタキシャル薄膜の残留応力の評価手法
- 単結晶X線回折及びEXAFSによるPbZn_Nb_O_3の構造研究
- 窒化アルミニウムセラミックスにおける液相生成と焼結機構
- MOCVD法により合成したバリスター特性を有するNb,Bi同時添加SrTiO_3薄膜の成長挙動(セラミックスインテグレーション)
- La添加SrTiO_3セラミックスの粒成長挙動に及ぼす液相の濡れ性の影響
- 減圧熱プラズマ成膜法によるチタン酸鉛PbTiO_3薄膜の合成に及ぼす成膜圧力の影響
- 半導性SrTiO_3単結晶接合界面の微構造と酸化還元処理によるI-V特性の変化
- 噴霧熱分解法によるSiO_2被覆Pd粒子の合成と粒子構造の形成機構
- 3 mol%Y_2O_3-ZrO_2の強弾性ドメインスイッチングに及ぼす相分離の影響
- セリア部分安定化ジルコニアの強弾性ドメインスイッチングの臨界応力に及ぼす軸比の影響
- ジルコニアの強弾性ドメインスイッチングに及ぼす希土類イオン半径の影響
- PZTの圧電性と圧縮強度に及ぼす加電圧の影響
- 正方晶ジルコニア擬単結晶の強弾性ドメインスイッチングと酸素欠陥の関係
- シード層の導入によるPZT,PT薄膜の結晶性/配向性の制御(セラミックスインテグレーション)
- YSZ/SiO_x/(001)Si薄膜のエピタキシャル成長における極薄SiO_x層の役割(セラミックスインテグレーション)
- PZT薄膜の90°ドメイン構造のTEM観察と強誘電特性
- さまざまな下部電極を導入したPZT薄膜の残留応力と誘電特性の変化(セラミックスインテグレーション)
- パルスレーザー蒸着法によるSr_Ba_Nb_2O_6薄膜の成膜ガス雰囲気と膜厚が配向性と表面形状に及ぼす影響(セラミックスインテグレーション)
- SrTiO_3シードバッファー層の導入によるPb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜の結晶成長(セラミックスインテグレーション)
- 低酸素圧下で合成したエピタキシャルLa__Sr__CoO_3(LSCO)薄膜の電気特性(セラミックスインテグレーション)
- Pb_5Nb_O_セラミックスへのLa置換による相転移と焼結挙動
- セラミックスと電気化学
- セラミックス系機能材料の開発動向と応用展開 (特集 機能性材料の開発・応用動向)
- タングステンブロンズ型(Pb_La_)_5Nb_O_(X=0.0〜0.50)新化合物のMPB現象
- 21世紀型セラミック電子部品の開発-性質を越えて機能を求める
- タングステンブロンズ型(1-X)Ba_Y_Nb_<10>O_-X Ba_Sm_Nb_O_固溶体の結晶構造と強誘電特性
- 解説 窒化アルミニウム焼結体の粒界相制御 (窒化アルミニウム粉末合成と焼結体の高性能化)
- 化学溶液法による(Bi、La)_4Ti_3O_/Pb(Zr,Ti)O_3複合薄膜の電気的特性の比較(セラミックスインテグレーション)
- Pb(Mg_Nb_)O_3/BaTiO_3/Pt/Ti/SiO_2/Si多層薄膜の構造,誘電特性に対する残留応力の影響(セラミックスインテグレーション)
- MOCVD法によるPbTiO_3薄膜の成長様式と成膜速度が配向性に及ぼす影響
- AlNセラミックスにおける液相生成と焼結機構 (特集 機能性窒化物セラミックスとその応用)
- Stober型単分散粒子の核生成と成長
- Pr添加ZnO焼結体における成分揮発と微構造の関係
- 理工系教育の現状と今後の方向
- 私の推薦書
- セラミックス実験技術講座はじめに