3D03 加熱 TEM 観察による PZT 薄膜の結晶成長に及ぼすシード層の効果の解明

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本セラミックス協会の論文
• 2001-09-26

著者

• 水谷 惟恭

  東工大大学院理工学研究科

• 木口 賢紀

  東京工業大学総合分析支援センター

• 木口 賢紀

  東工大

• 篠崎 和夫

  東工大

• 脇谷 尚樹

  東工大院工

関連論文

• (106)科学技術への深き学びを拓くために : 東工大工学部におけるFD研修会について(第29セッション ファカルティ・デベロップメント(I))
• (332)工学教育プログラム基準強化活動(第1報) : コアリッションによる工学教育の相乗効果(セッション97 工学教育の個性化・活性化IX・国際化時代における工学教育V)
• Y_2O_3-Ta_2O_5混合ドープZrO_2ゲート絶縁膜界面の高分解能観察
• 高分解能分析電子顕微鏡による二酸化セリウム/イットリア安定化ジルコニア/シリコンヘテロ界面構造の原子スケール構造評価(原子をみる)
• YSZシード層によるSi(001)基板上へのCeO_2薄膜のエピタキシャル成長
• バッファーレイヤーのセラミック薄膜への適用
• 3L19 π種々の希土類元素を添加したジルコニアゲート絶縁膜の界面構造の高分解能 TEM 観察
• 3J09 Ni-Zn フェライト薄膜を成膜した FET 型トランジスタのメモリ動作への実現
• 3J07 強磁性体ゲート薄膜を有する MOS トランジスタの I-V 特性
• 3J02 バッファー層の最適化による高角形比 (Mr/Ms) エピタキシャル (Ni, Zn)Fe_2O_4 薄膜の作製
• 2L04 Si 基板上における Pb(Mg_, Nb_)O_3 薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性
• S0405-1-4 収差補正電子顕微鏡によるセラミック薄膜の界面構造解析(セラミックス/セラミックス基礎合材料I)
• 1D17 強誘電体 (Pb(Zr, Ti)O_3)/強磁性体積層薄膜における強誘電性、強磁性同時発現に向けた強磁性体およびバッファー層の最適化
• モバイル時代のデータ交換,どうしてますか? : 多彩なメモリーメディアの活用
• WinとMacのデータのやり取りどうする?
• バックアップのすすめ : 大容量データのバックアップ, さてどうする
• どこでもe-mail!?
• Windows CEで使えるフリーの辞書
• Mac serverの日常管理に便利な小物ソフト
• "私的"お薦めメールソフト - メール添付のトラブルをなくすために -
• internet時代のファイル交換 - 圧縮ファイルの添付 -
• 印刷したグラフをデジタルデータにする方法
• FTPってなあに?
• webでのデータのダウンロードの方法
• 多人数への同送メールの送り方
• internet時代のファイル交換-メール添付のトラブル-
• 液晶プロジェクターによるプレゼンーション-WindowsCE機の利用-
• バソコンの時計を正しくあわせる
• 2D11 ICP フラッシュ蒸着法による BaTiO_3 薄膜の合成
• 収差補正TEMによるZrO_2超薄膜における構造遷移層の解明
• (178)科学技術への深き学びを拓くために : 東工大工学部における創造性教育について(第47セッション 創成教育(VI))
• 2L03 パルス MOCVD 法で原料供給方法を変化させた PZT 薄膜の微構造の高品質化
• 1D25 第一原子層制御を用いたヘテロエピタキシャル SrTiO_3/CeO_2(001) 薄膜の界面特性とその安定性
• 1D22 Si(001) 基板上低温化エピタキシャル YSZ 薄膜の合成の実現化
• 1D11 PLD 法による Pb(Mg_Nb_)O_3 (PMN) 薄膜の強誘電特性の膜厚依存性
• (107)科学技術への深き学びを拓くために : 東工大工学部における教育改善への取り組みについて(第29セッション ファカルティ・デベロップメント(I))
• (62)工学教育への深き学びを拓くために : 東工大工学部における授業評価アンケートについて(第17セッション 教育評価・自己点検・評価システム(II))
• 1A07 イットリア添加ジルコニア薄膜の電気伝導性に及ぼす柱状組織の影響
• 薄膜法を用いたフロンティアセラミックスの合成 (特集 フロンティアセラミックス)
• 2D01 MOCVD 法で合成した PZT 薄膜の電気的性質
• 3B09 CVD 法によるエピタキシャル BaTiO_3 及び SrTiO_3 薄膜の合成
• 非対称X線回折によるエピタキシャル薄膜の残留応力の評価手法
• 強誘電性・強磁性マルチフェロイック物質の現象と展望 (特集 エレクトロニクセラミックス薄膜)
• Si(001)基板上に作製したエピタキシャル成長ニッケル亜鉛フェライト薄膜の結晶構造と磁気特性におよぼすバッファー層の効果
• MOCVD法により合成したバリスター特性を有するNb,Bi同時添加SrTiO_3薄膜の成長挙動(セラミックスインテグレーション)
• 3L03 Structural and electrical properties of (Bi, La)_4Ti_3O_ thin films with a thin Bi_2O_3 top-layer prepared by chemical solution deposition method
• 1F25 Mosaic defect identification in multi-heteroepitaxial films by high-resolution X-ray diffraction
• 1D19 LaNiO_3 中間層が (Sr_Ba_)Nb_2O_6 薄膜の特性に及ぼす影響
• 3A25 BL コンデンサの一粒界の SIS 型障壁
• 3A21 Pb(Fe_W_)O_3 の熱処理と電気的性質
• 3A17 BaTiO_3-Pb(Mg_Nb_)O_3 系誘電体の合成とその電気的性質
• 2A23 酸化物セラミックスのホール係数と電気伝導度の測定
• 2A10 一方向凝固法による Bi 系超伝導体の微小領域の電気的性質
• 3A15 TEM, XRD による PMN/LSCO/CeO_2/YSZ/Si 薄膜のインテグレート構造と誘電率の膜厚依存性
• 3 mol%Y_2O_3-ZrO_2の強弾性ドメインスイッチングに及ぼす相分離の影響
• セリア部分安定化ジルコニアの強弾性ドメインスイッチングの臨界応力に及ぼす軸比の影響
• ジルコニアの強弾性ドメインスイッチングに及ぼす希土類イオン半径の影響
• 正方晶ジルコニア擬単結晶の強弾性ドメインスイッチングと酸素欠陥の関係
• ジルコニア結晶の強弾性ドメインスイッチングに及ぼす応力,温度の影響
• ZrO2と強弾性ドメインスイッチング
• シード層の導入によるPZT,PT薄膜の結晶性/配向性の制御(セラミックスインテグレーション)
• YSZ/SiO_x/(001)Si薄膜のエピタキシャル成長における極薄SiO_x層の役割(セラミックスインテグレーション)
• PZT薄膜の90°ドメイン構造のTEM観察と強誘電特性
• 3D03 加熱 TEM 観察による PZT 薄膜の結晶成長に及ぼすシード層の効果の解明
• 1D23 加熱 TEM 観察による YSZ/SiOx/Si 薄膜における SiOx 層の還元過程の解明
• 3D04 CeO_2/ZrO_2/Si 多層膜界面構造の HRTEM 観察
• 2C10 超音波噴霧熱分解法による Pb(Mg_Nb_)O_3 微粒子の合成

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク