高橋 健治 | 東京工業大学総合理工学研究科
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概要
関連著者
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舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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舟窪 浩
東京工業大学総合理工学科学研究所
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舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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中山 誠
東京工業大学精密工学研究所
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高橋 健治
東京工業大学総合理工学研究科
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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舟窪 浩
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日野 史郎
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
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徳光 永輔
東北大学 It-21 センター
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徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学
著作論文
- HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製