石原 宏 | 東京工業大学

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概要

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• 東京工業大学の論文著者

関連著者

• 石原 宏

  東京工業大学

• 石原 宏

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 徳光 永輔

  東京工業大学

• 徳光 永輔

  東京工業大学 精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター

• 石原 宏

  東工大

• 藤崎 芳久

  日立製作所中央研究所

• 石原 宏

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 石原 宏

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科

• 石原 宏

  東京工業大学精密工学研究所

• 石原 宏

  東京工大 大学院総合理工学研究科

• 山本 修一郎

  東京工業大学大学院物理情報システム専攻

• 山本 修一郎

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• Lee Gwang-Geun

  東京工業大学精密工学研究所

• Yoon Sung-Min

  Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI)

• Yoon Joo-Won

  東京工業大学総合理工学研究科

• 今田 将吾

  東京工業大学精密工学研究所

• 藤崎 芳久

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 今田 将吾

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 山本 修一郎

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム専攻

• 山本 修一郎

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科

• 尹 聖民

  フロンティア創造共同研究センター

• 尹 聖民

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 永田 康成

  東京工業大学 精密工学研究所

• 呉 貞姫

  東京工業大学 精密工学研究所

• 天野 敦弘

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 藤井 厳

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 舟窪 浩

  東京工業大学総合理工学科学研究所

• 白木 靖寛

  東京都市大学(旧武蔵工業大学)

• 會澤 康治

  東京工業大学精密工学研究所

• 會澤 康治

  東京工業大学 精密工学研究所

• 白木 靖寛

  東京都市大学

• Yoon Sung-min

  Etri

• 正力 重仁

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 平山 智久

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 徳光 永輔

  東北大学電気通信研究所

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 正力 重仁

  東京工業大学精密工学研究所

• 朴 炳垠

  ソウル市立大学

• 高橋 憲弘

  東京工業大学 総合理工学研究科

• 神保 武人

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 佐野 春行

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 貴志 真士

  東京工業大学精密工学研究所

• 井関 邦江

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 岡本 浩次郎

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 平山 智久

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 尹 珠元

  東京工業大学

• 大見 俊一郎

  東京工業大学

• 尾浦 憲治郎

  大阪大学大学院

• 渡邉 恵理子

  日本女子大学

• 大見 俊一郎

  東京工業大学総合理工学研究科

• 大見 俊一郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 田中 倫子

  東大工

• 奥村 次徳

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 小舘 香椎子

  日本女子大学理学研究科数理・物性構造科学専攻

• 山田 明

  東工大

• 岩本 敏

  東大ナノ量子機構

• 中村 淳

  電通大電子

• 吉野 淳二

  東工大院理工

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 駒井 友紀

  日本女子大学理学部

• 五明 明子

  日本電気

• 駒井 友紀

  日本女子大学 理学部数物科学科

• 駒井 友紀

  日本女子大

• 尾浦 憲治郎

  阪大工

• 槌田 博文

  オリンパス(株)

• 谷川 ゆかり

  産総研

• 川嶋 将一郎

  富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部

• 渡邉 恵理子

  日本女子大学 理学部

• 高井 まどか

  「応用物理」編集委員会

• 高井 まどか

  東大

• 石川 和枝

  上智大

• 菅谷 綾子

  ニコン

• 島田 純子

  科学技術振興機構

• 下川 貴久技

  KickE

• 小舘 香椎子

  日本女子大学 理学部数物科学科

• 中村 淳

  電通大

• 尾浦 憲治郎

  阪大

• 川嶋 将一郎

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社システムマイクロ事業部

• 吉野 淳二

  東工大

• 吉野 淳二

  東工大・工

• 岩本 敏

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 岩本 敏

  東大

• 田中 倫子

  東大

• 小舘 香椎子

  日本女子大学理学部数物科学科

• 古川 静二郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 石原 宏

  東工大工

• 金 〓季

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 井上 進

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 小笠原 悟

  新機能素子研究開発協会

• 徳永 永輔

  東京工業大学精密工学研究所

• 奥村 次徳

  首都大学東京

• 大見 俊一郎

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 山田 明

  東工大量子セ

• 岡田 伸一郎

  東京工業大学 精密工学研究所

• 磯辺 武揚

  東京工業大学精密工学研究所

• 木島 健

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 大曲 隆文

  東京工業大学 精密工学研究所

• 槌田 博文

  オリンパス

• 古川 静二郎

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科

• 石原 宏

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻

• 小笠原 悟

  新機能素子研究開発協会:東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 五明 明子

  Nec基礎・環境研究所

• 小舘 香椎子

  日本女子大学

• 石原 宏

  東京工業大学:建国大学wcu(world Class University)

• 島田 純子

  科学技術振興事業団

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著作論文

• Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
• 人材育成
• 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 応用物理教育分科会に期待するもの
• 強誘電体メモリ技術
• 学会活動の充実に向けて
• トランジスタ型強誘電体メモリーの現状と展望
• 国立大学の法人化と「もの作り」研究室への期待
• トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
• トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
• 3次元IC技術の現状
• 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
• 次世代強誘電体メモリの研究開発
• 1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• 不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
• 1T2C型強誘電体メモリの作製及び評価
• C-12-36 1T2C型強誘電体メモリの周辺回路の設計
• FET型強誘電体メモリの現状
• FET型強誘電体メモリの現状
• C-12-33 強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計
• 高誘電率/強誘電体ゲート絶縁膜の可能性
• 強誘電体ゲートトランジスタの動作原理と開発動向
• MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
• MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
• 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ(新型不揮発性メモリ)
• 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ
• プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
• プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
• MOSトランジスタの動作原理
• 強誘電体ゲートFETの現状と問題点
• 高誘電体・強誘電体薄膜のメモリデバイスへの応用
• 息の長い研究
• 強誘電体薄膜のニューロデバイスへの応用
• どこまで速くなるか? トランジスタの動作速度
• FET型強誘電体メモリの現状
• 巻頭言 : "会長退任にあたって"
• 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
• 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
• 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
• 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
• ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
• SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
• SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
• MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
• MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• 強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用
• 強誘電体薄膜の半導体基板上への形成とニューロデバイスへの応用
• ビ-ムアニ-リング (半導体ビ-ムプロセス技術)
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
• アジア太平洋物理学会連合(AAPPS)定期総会(OGM)及び新理事会参加報告
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• 強誘電体を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性
• 応用物理系英文ジャーナルの話題

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