石原 宏 | 東京工業大学大学院総合理工学研究科

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関連著者

• 石原 宏

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 石原 宏

  東京工業大学

• 徳光 永輔

  東京工業大学

• 徳光 永輔

  東京工業大学 精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター

• 藤崎 芳久

  日立製作所中央研究所

• Lee Gwang-Geun

  東京工業大学精密工学研究所

• Yoon Sung-Min

  Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI)

• Yoon Joo-Won

  東京工業大学総合理工学研究科

• 今田 将吾

  東京工業大学精密工学研究所

• 藤崎 芳久

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 今田 将吾

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 會澤 康治

  東京工業大学 精密工学研究所

• 尹 聖民

  フロンティア創造共同研究センター

• 尹 聖民

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 永田 康成

  東京工業大学 精密工学研究所

• 呉 貞姫

  東京工業大学 精密工学研究所

• 朴 炳垠

  ソウル市立大学

• 高橋 憲弘

  東京工業大学 総合理工学研究科

• 井関 邦江

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 天野 敦弘

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 藤井 厳

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 舟窪 浩

  東京工業大学総合理工学科学研究所

• 會澤 康治

  東京工業大学精密工学研究所

• Yoon Sung-min

  Etri

• 正力 重仁

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 徳光 永輔

  東北大学電気通信研究所

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 正力 重仁

  東京工業大学精密工学研究所

• 石原 宏

  東工大フロンティア研

• 神保 武人

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 佐野 春行

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 貴志 真士

  東京工業大学精密工学研究所

• 岡本 浩次郎

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 加藤 一実

  産総研

• 石原 宏

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 有本 由弘

  富士通研

• 田渕 良志明

  東工大フロンティア研

• 朴 炳垠

  素子協

• 會澤 康治

  東工大精研

• 川島 良仁

  東工大フロンティア研

• 高橋 憲弘

  東工大フロンティア研

• 藤崎 芳久

  東工大フロンティア研

• 井関 邦江

  素子協

• 岡田 伸一郎

  東京工業大学 精密工学研究所

• 磯辺 武揚

  東京工業大学精密工学研究所

• 木島 健

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 大曲 隆文

  東京工業大学 精密工学研究所

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著作論文

• 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• FET型強誘電体メモリの現状
• MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
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• 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ(新型不揮発性メモリ)
• 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ
• (Bi,Nd)_4Ti_3O_/HfO_2/Si(100)構造の作製と評価(新型不揮発性メモリー)
• プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
• プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
• 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
• 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
• 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• 減圧仮焼成プロセスを用いたBLT強誘電体薄膜の大幅特性向上(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
• ダメージフリーのSi基板直接窒化技術を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
• 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
• ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
• SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
• SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
• MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
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• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• 強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用
• 強誘電体薄膜の半導体基板上への形成とニューロデバイスへの応用
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
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• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• 強誘電体を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性

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