Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
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概要
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強誘電体ゲートトランジスタは次世代の不揮発性メモリ素子として期待されている。本研究では、上部MFMキャパシタと下部MIS構造の面積を独立に設定できる金属/強誘電体/金属/絶縁体/半導体(MFMIS)構造に着目し、強誘電体としてSrBi_2Ta_2O_9 (400nm)、絶縁体としてSiとの界面特性が良好なSiO_2 (6nm)を用いてMFMIS構造を作成し、その電気的特性を評価した。上部MFMキャパシタと下部MIS構造の面積比を1:10にすることで、4V以上の大きなメモリウインドウが得られ、さらにメモリ保持特性も改善されることを明らかにした。また、本構造を用いてMFMIS-FETを試作し不揮発性のメモリ機能を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-23
著者
-
石原 宏
東京工業大学
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
-
天野 敦弘
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
藤井 厳
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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