強誘電体メモリ技術
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概要
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強誘電体メモリ(FeRAM)は不揮発性メモリの中では消費電力が低く多数回の高速書換えに特徴があり,非接触ICカード,機器の電源切断直前のデータ退避,認証用ICに用いられている.前半はFeRAMの研究の歴史,他のメモリとの比較,現在及び将来の応用例を示す.後半は技術的解説で強誘電体キャパシタの分極量と電圧のヒステリシス曲線,2トランジスタ2キャパシタ(2T2C)セルの基本的動作,信頼性にかかわる分極量の減少要因を概観する.FeRAMの今後の発展には強誘電体の物性面の改善と,セルの特性を把握した駆動方法の選択が重要である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-08-01
著者
-
石原 宏
東京工業大学
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川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部
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川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社システムマイクロ事業部
-
石原 宏
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
-
石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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