強誘電体メモリ(FeRAM)の技術動向 : 〜2010とこれから(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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強誘電体は自発分極をもちこの方向を0と1の記憶に用いた不揮発性メモリがFeRAMである。強誘電体の例としてPZT(チタン酸ジルコニウム鉛)の構造、温度特性、劣化要因などをレビューしたのち、実際の各社のセル、回路アーキ等を概観する。なかなかドリームメモリとして成り立っていない点も理解していただき、パネル討論の導入部分の役割とする。
- 2011-08-18
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