強誘電体メモリを利用したセキュアDPGA

概要

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強誘電体メモリ(FeRAM)テクノロジーを利用し、8コンテキストを持つDPGA(Dynamically Programmable Gate Array)の開発を行った。FeRAMによってコンフィギュレーション情報が不揮発に蓄積されるため、外付けPROM等が不要となり、また、DPGAアーキテクチャによって単位面積あたりのゲート数を増加できるため、トータルとして安価なフィールド・プログラマブル・システムを実現できる。また、FeRAMにセキュリティ情報を持たせることにより、コンフィギュレーション情報の保護機能を実現できる。コンフィギュレーション・メモリには、SRAMをベースとした6T4C型メモリ・セルを採用した。このメモリ・セルにより、従来型のFeRAMと比較して20倍以上の高速読み出しが可能となり、さらには、破壊読出しに起因する読み出し回数の制限をなくすことができた。0.35μm CMOS FeRAMプロセスによって設計したプロトタイプDPGAにより、通常CMOSデバイスと同等な動作速度と、1.5Vの不揮発動作を確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-10-18