マルチギガビットクラスDRAMセンスアンプにおける実効的Vthのコントロール方式
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概要
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マルチギガビットクラスのテクノロジにおいて問題となるトランジスタのVthバラツキを補償するためのVthコントロール方式を提案する. Vthコントロール回路はカップリングキャパシ夕(CC), 参照電圧源, 電流源, 及びスイッチで構成される. 実効的VthはCCとコントロールされるトランジスタのゲート電極に挟まれるノードに蓄積される電荷によりきまり, 参照電圧と等しくなる. この方式をDRAMセンスアンプのクロスカップル部に適用した場合のシミュレーションを行い, イニシャルのVthバラツキ200mVを1/100の約2mVまで減少できることを確認した. また, 実効的Vthを低くコントロールすることにより, 低電源電圧下 (1V) でのセンスアンプの動作スピードを改善することができる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-22
著者
-
齋藤 美寿
株式会社富士通研究所
-
後藤 公太郎
(株)富士通研究所
-
斎藤 美寿
(株)富士通研究所
-
小川 淳二
(株)富士通研究所
-
田村 泰孝
(株)富士通研究所
-
川嶋 将一郎
(株)富士通研究所
-
川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部
-
田村 泰孝
株式会社 富士通研究所
-
小川 淳二
株式会社 富士通研究所
-
後藤 公太郎
株式会社 富士通研究所
-
齋藤 美寿
富士通研究所システムlsi開発研究所
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