低電圧センスアンプにおけるペアトランジスタばらつきの影響の検討
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概要
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携帯機器に搭載のSRAMでは, 小型化・低消費電力化の要請を受け, 一層の微細化・低電圧化が図られている。これに伴い, トランジスタの閾値・電流のばらつきがセンスアンプを設計する上で問題となっている。今回, 0.35μmテクノロジのTEGにより, センスアンプ入力のオフセット分布を測定し, 検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
若山 繁俊
富士通研究所システムLSI開発研究所
-
若山 繁俊
(株)富士通研究所
-
助川 和雄
富士通株式会社
-
笹川 隆平
(株)富士通研究所
-
濱湊 真
(株)富士通研究所
-
川嶋 将一郎
(株)富士通研究所
-
川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部
-
濱湊 真
株)富士通研究所 システムlsi開発研究所
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