Resister-Transconductorハイブリッド回路を用いた20Gb/s同時双方向送受信回路(VLSI一般(ISSCC2006特集))

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概要

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• Resistor-Transconductor (R-gm)ハイブリッド回路を用いる事により20Gb/s同時双方向伝送を達成した.このハイブリッド回路は,受信端での電圧と伝送線路に流れる電流から直接,入力信号を抽出するため,従来用いられていたレプリカドライバが削除でき,レプリカとメインドライバとの正確な整合を不要にした.試作チップは0.11-μm CMOSプロセスを用いて設計・製造し,送受信器の面積は1.02mm^2,消費電力は260mWであった.ハイブリッド回路によるオーバーヘッドは面積において0.2%,消費電力において3%であった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-05-18

著者

• 黒田 忠広

  慶應義塾大学

• 田村 泰孝

  株式会社 富士通研究所

• 小川 淳二

  株式会社 富士通研究所

• 木船 雅也

  株式会社 富士通研究所

• 富田 安基

  慶應義塾大学 理工学部電子工学科

• 後藤 公太郎

  株式会社 富士通研究所

• 黒田 忠広

  慶應義塾大学理工学部

• 黒田 忠広

  慶應義塾大学理工学部電子工学科黒田研究室

• 黒田 忠広

  慶應義塾大学理工学研究科

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