非接触メモリーカードの待機電力削減のための誘導結合型ウェイクアップトランシーバ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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非接触メモリーカードの待機電力を1/500に削減するノーマリーオフの誘導結合型ウェイクアップトランシーバを開発した。0.18μm CMOSを用いウェイクアップ信号伝達に要する時間は2.9ns、待機電力は6nW、レイアウト面積は50μm角である。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-04
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