低電圧動作におけるDRAMセンスアンプ駆動方式
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概要
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G-bitスケールのDRAMを想定して, 低電源電圧におけるセンスアンプ駆動方式についてSPICEシミュレーションにより検討を行った. センスアンプ活性化時のBIの制御と, センスアンプのソース電極配線と結合するキャパシタによるオーバードライプによって, Vcc=0.8[V] においてもセルデータの読み出し時間が3[ns] 以下に高速化できることを確認した. また, チャージリサイクルを用いることによって, 消費電力は従来方式の30%の増加で済むことがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-22
著者
-
田口 眞男
富士通株式会社第4システムlsi事業部
-
田口 眞男
Spansion Japan
-
齋藤 美寿
株式会社富士通研究所
-
後藤 公太郎
(株)富士通研究所
-
斎藤 美寿
(株)富士通研究所
-
小川 淳二
(株)富士通研究所
-
田村 泰孝
(株)富士通研究所
-
田口 眞男
*富士通(株) DRAM事業部
-
田村 泰孝
株式会社 富士通研究所
-
小川 淳二
株式会社 富士通研究所
-
後藤 公太郎
株式会社 富士通研究所
-
齋藤 美寿
富士通研究所システムlsi開発研究所
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