プリイコライズ手法を用いたDRAM高速データ書き込み方式
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概要
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ギガビットDRAMでは、低消費電力やトランジスタ耐圧などの要求から、チップ内電源電圧V_<ii>を1.5V程度まで下げる必要がある。しかしながら、低電源電圧化はトランジスタの駆動能力を低下させ、高速化と相反する効果をもたらす。 本発表では、セルデータ書き込み速度に関して、データバスを含めたシミュレーションを行ない、従来方式での動作を明らかにすると共に、高速化手法を検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
荒木 久勝
株式会社富士通研究所
-
後藤 公太郎
(株)富士通研究所
-
小川 淳二
(株)富士通研究所
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小川 淳二
株式会社 富士通研究所
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後藤 公太郎
株式会社 富士通研究所
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荒木 久勝
(株)富士通研究所
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荒木 久勝
富士通研
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