特集9 : 研究解説 : 量子ポイントコンタクト構造における電子波伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
特集 量子固体エレクトロニクスpoint contact構造におけるパリスティック電子伝導に関して，実験および解析を行った．二つのpoint contactを直列に配置して，point contactからの電子の出射分布を測定し，分布がinjector point contactの中のモード数に依存する結果を得た．この分布測定の問題点としてdetector側による電子の反射の影響が指摘されている．そこでpoint contact出口側に障壁を置いた素子を用いて，障壁からの反射の影響を調べる実験を行った．その結果，point contactのcoductanceに反射の影響と考えられている振動現象が観測された．
- 2011-10-06
著者
関連論文
- チップ間高速信号伝送用イコライズ技術
- 高速DRAM用500MHz動作ノンプリチャージド・データバス方式の開発
- ±60ps位相合わせ精度の高速DRAM用多位相出力デジタル制御DLL
- Partial Response Detectionによるメモリ-プロセッサ間の低消費電力高速信号伝送方式
- 低電圧動作におけるDRAMセンスアンプ駆動方式
- B-5-60 ソフトウェア無線向け準固定ハードウェアの検討
- リコンフィギュラブルな演算ユニットを搭載した組込み向けプロセッサの設計(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- 30aYA-2 単独自己形成InAs量子ドットのトンネルスペクトロスコピー(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 29pYF-14 ヘテロダイン四光波混合法による量子ドットのスピン緩和(半導体スピン物性)(領域4)
- 24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 極薄トンネル酸化膜を有するフローティングゲートメモリ : ダイレクトトンネルメモリ(DTM)
- 1a-M-2 バリスティック系電気伝導における形状効果の数値解析
- 27a-P-8 ポイントコンタクトにおけるコンダクタンスへの反射障壁の影響
- チップ間高速信号伝送用イコライズ技術
- 一時記憶バッファ構成によるDRAMロウサイクル時間の高速化
- 一時記憶バッファ構成によるDRAMロウサイクル時間の高速化
- 一時記憶バッファ構成によるDRAMロウサイクル時間の高速化
- 高速DRAM用500MHz動作ノンプリチャージド・データバス方式の開発
- ±60ps位相合わせ精度の高速DRAM用多位相出力デジタル制御DLL
- DRAM用Multi-Phase DLL
- マルチギガビットクラスDRAMセンスアンプにおける実効的Vthのコントロール方式
- 動的再構成回路に基づくソフトウェア無線向け信号処理プラットフォームLSIの開発
- 動的再構成回路に基づくソフトウェア無線向け信号処理プラットフォームLSIの開発(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- クラスタアーキテクチャ : 無線通信向けリコンフィギュラブル信号処理エンジン(リコンフィギャラブル応用II)
- 25p-ZB-3 量子ポイントコンタクトから出射された電子波の角度分布とグリーン関数による解析
- 量子ポイントコンタクトから出射された電子波の角度分布
- B-17-6 ソフトウェア無線プラットフォーム評価ボードの開発(B-17. ソフトウェア無線, 通信1)
- 複素ガウス過程を考慮したフェージング環境における伝送路推定について(通信理論,信号理論基礎)
- B-5-210 802.11b 無線 LAN における CCK 復調方式の検討
- 量子暗号通信開発の現状
- 特集9 : 研究解説 : 量子ポイントコンタクト構造における電子波伝導
- 量子ポイントコンタクトから出射された電子波の角度分布 (量子化機能材料)