結合伝送線路を用いた12Gb/s非接触インタフェース(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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本論文では非接触メモリインタフェース向けの手法を提案する。結合伝送線路を用いた手法により、従来の誘導結合を用いた手法に比べ広帯域を実現する事が出来た。この結果、単一チャネルで高速なデータ伝送を達成できる。試作した送受信機は、1mmの通信距離の下、12Gb/sの伝送速度でBER<10^<-13>を達成した。
- 2011-04-11
著者
-
黒田 忠広
慶應義塾大学
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学理工学研究科
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
黒田 忠広
慶応義塾大学
-
三浦 典之
慶應義塾大学
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学理工学部電子工学科
-
黒田 忠広
慶應義塾大学理工学部
-
三浦 典之
慶應義塾大学理工学部電子工学科黒田研究室
-
竹谷 勉
慶應義塾大学理工学部電子工学科黒田研究室
-
Nan Lan
慶應義塾大学理工学部電子工学科黒田研究室
-
中野 慎也
慶應義塾大学理工学部電子工学科黒田研究室
-
黒田 忠広
慶應義塾大学理工学部電子工学科黒田研究室
-
三浦 典之
慶應義塾大学理工学部電子工学科
-
中野 慎也
慶應義塾大学理工学部電子工学科
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学
-
竹谷 勉
慶應義塾大学理工学部電子工学科
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