Data Retention and Readout Degradation Properties of Pt/Sr_<0.7>Sm_<0.07>Bi_<2.2>Ta_2O_9/HfO_2/Si Structure Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors
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概要
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- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2007-01-15
著者
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
TOKUMITSU Eisuke
Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology
-
SAIKI Hirokazu
Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology
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