C-10-4 酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタにおけるメモリ特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-03-05
著者
-
柴田 宏
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
大岩 朝洋
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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徳光 永輔
東京工業大学
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