古川 静二郎 | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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概要
関連著者
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古川 静二郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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古川 静二郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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石原 宏
東京工業大学精密工学研究所
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古川 静二郎
東工大工
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松村 英樹
東工大工
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大見 俊一郎
東京工業大学
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石原 宏
東京工業大学
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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高橋 功
関西学院大学理学部
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遠藤 守
東工大・工
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原田 仁平
理学電機(株)x線研究所
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原田 仁平
名古屋大学
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伊藤 洋文
名古屋大学工学部
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高橋 功
名古屋大学工学部応用物理学科
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川崎 宏治
東京工業大学・総合理工学研究科
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Sokolov N.S.
A.F.Ioffe Phisico-Technical Institute, Russia
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夏秋 信義
東工大工
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石原 宏
東工大工
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遠藤 守
東工大工
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川崎 宏治
東京工業大学院総理工
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Sokolov N.s.
A.f.ioffe Phisico-technical Institute Russia
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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古川 静二郎
東京工大
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佐々木 公洋
東京工業大学総合理工学研究科
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坂野 順一
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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高橋 功
名古屋大学・工学部
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伊藤 洋文
名古屋大学・工学部
著作論文
- 13a-Y-10 X線CTR散乱によるCaF_2/Si(111)界面構造と育成条件の研究
- 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
- LSIと不純物導入技術--拡散およびイオン注入法
- 注入イオン分布とその関連現象
- 8a-Y-1 Si^+注入したSi単結晶中の欠陥分布とDechannelling
- イオン注入 (ドライな表面処理)
- 5)両性不純物^Cを注入したGaPの特性(第51回テレビジョン電子装置研究会)
- アモルファスSiCヘテロエミッタトランジスタ : バイポーラトランジスタの高速化の新手法
- ひずみ補償によるSiGeB/Siヘテロ構造のB熱安定性向上
- "夢"の実現に向けて
- 新概念のデバイスを探る
- 3次元デバイス