ひずみ補償によるSiGeB/Siヘテロ構造のB熱安定性向上
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概要
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不活性雰囲気中の熱処理における,SiGe/Siヘテロ構造のBの熱拡散を検討した.まず,実験的に下地Si層に比べSiGe層を高濃度にBドープしたSiGeB/Si構造では,SiGe層からSi層へのBの再分布がSi単体の場合に比べ減少しBの熱安定性が向上すること,またより浅いp^+n接合が形成されること,を示した.この現象を明らかにし,デバイスプロセスに応用することを目的として,本構造中のBの拡散に関する見通しの良い理論式を,化学ポテンシャルを基にして導出した.理論式から,Ge導入による結晶のひずみを補償するようにSi層からSiGe層へ向かうBの拡散が生じること,また実験結果がこのB拡散現象により定性的に説明されること,更に計算機シミュレーションにより理論式が定量的に妥当なこと,を確認した.そして,この理論式に基づくSiGeB/Siヘテロ構造を用いた新しい浅いp^+n接合形成法を提案し,更にその最適化に必要な定量的な指針を明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-25
著者
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