イオン注入 (ドライな表面処理<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 13a-Y-10 X線CTR散乱によるCaF_2/Si(111)界面構造と育成条件の研究
- 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
- LSIと不純物導入技術--拡散およびイオン注入法
- 注入イオン分布とその関連現象
- 8a-Y-1 Si^+注入したSi単結晶中の欠陥分布とDechannelling
- イオン注入 (ドライな表面処理)
- 5)両性不純物^Cを注入したGaPの特性(第51回テレビジョン電子装置研究会)
- アモルファスSiCヘテロエミッタトランジスタ : バイポーラトランジスタの高速化の新手法
- ひずみ補償によるSiGeB/Siヘテロ構造のB熱安定性向上
- "夢"の実現に向けて
- 新概念のデバイスを探る
- 3次元デバイス