新概念のデバイスを探る
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 電子情報通信学会の論文
- 1992-04-25
著者
関連論文
- Magneto-TLM法を用いた半導体デバイス電極下の移動度変化によるひずみの評価
- 13a-Y-10 X線CTR散乱によるCaF_2/Si(111)界面構造と育成条件の研究
- 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
- LSIと不純物導入技術--拡散およびイオン注入法
- 注入イオン分布とその関連現象
- 8a-Y-1 Si^+注入したSi単結晶中の欠陥分布とDechannelling
- イオン注入 (ドライな表面処理)
- 5)両性不純物^Cを注入したGaPの特性(第51回テレビジョン電子装置研究会)
- 新世代LSIに期待する (新世代LSIと新しいニ-ズ)
- 微細加工入門-23-クリ-ンル-ムとその関連技術
- 微細加工入門-24完-微細加工Q&A-3-
- 微細加工入門-22-検査・評価技術-2-電気的特性の測定
- 微細加工入門-21-検査・評価技術-1-電子顕微鏡による観察
- 微細加工入門-20-エピタキシャル成長技術
- 微細加工入門-19-微細加工Q&A-2-
- アモルファスSiCヘテロエミッタトランジスタ : バイポーラトランジスタの高速化の新手法
- ひずみ補償によるSiGeB/Siヘテロ構造のB熱安定性向上
- "夢"の実現に向けて
- 新概念のデバイスを探る
- 3次元デバイス
- ヘテロ材料のヘテロエピタキシ法とその応用(学術研究の動向)
- 博士課程進学者の頭打ち傾向を憂える (21世紀への応用物理) -- (教育と研究の現状)
- 微細加工入門-18-自己整合技術(セルフアライメント)